Ações da Micron e SK Hynix caem após CXMT anunciar progresso no design de chips

As ações dos principais fabricantes de chips de memória caíram na segunda-feira após anúncios do rival chinês ChangXin Memory Technologies (CXMT). A ação da Micron Technology (MU) caiu 3,14%, enquanto a SK Hynix (SKHY) recuou 3,78%. A Samsung Electronics (005930.KS) também viu suas ações despencarem 4% junto com o mercado de ações sul-coreano em geral.

CXMT Anuncia Progresso na Arquitetura 4F Quadrada

O movimento do mercado seguiu a notícia de que a CXMT relatou "progresso significativo" em um novo design de célula de memória conhecido como arquitetura "4F quadrada". Este design visa aumentar a densidade de armazenamento, acomodando mais células em um único chip. Atualmente, a memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) comercial mainstream usa uma estrutura de célula 6F quadrada.

De acordo com um comunicado da empresa, o presidente da CXMT, Cao Kanyu, disse em um evento industrial em Xangai no fim de semana que a empresa planeja lançar um novo produto de memória para servidores baseado nessa estrutura até o final de 2026. Espera-se que o novo produto seja um DDR5 RDIMM projetado para servidores de nível empresarial.

Detalhes Técnicos e Prazos dos Concorrentes

A CXMT afirmou que o núcleo de seu design 4F quadrado é seu transistor Vertical Surrounding Gate (VSG) proprietário. Esta arquitetura de porta vertical destina-se a abordar o vazamento de corrente atual, reduzindo a área unitária e aumentando a densidade de armazenamento. A mudança da estrutura mainstream 6F quadrada para a 4F quadrada representa uma transição de canais de transistor horizontais para verticais. Como os fluxos de fabricação existentes não podiam ser adaptados à nova estrutura, a CXMT disse que teve que redesenhar processos-chave para otimizar a relação desempenho-potência.

Os principais produtores de DRAM do mundo também estão perseguindo esta tecnologia. A SK Hynix revelou seu roteiro 4F quadrado em 2025. Além disso, um relatório do veículo de mídia sul-coreano The Elec em abril afirmou que a Samsung planejava produzir em massa DRAM com menos de 10 nanômetros baseada no novo design até 2028.

Contexto de Mercado e Visões de Analistas

A CXMT, fundada em 2016 e sediada em Hefei, disse que vem pesquisando a arquitetura 4F quadrada desde sua criação e publicou mais de 300 famílias de patentes relacionadas. A empresa listou-se na Bolsa de Valores de Xangai no mercado Star em julho. No mês passado, a CXMT anunciou que sua quinta plataforma de fabricação de DRAM, conhecida como G5, havia entrado em produção em massa.

No mercado dos EUA, a ação da Micron está cerca de 16% abaixo de seu máximo histórico em junho. Apesar da recente queda, o analista Gil Luria da D.A. Davidson elevou sua meta de preço para a Micron para US$ 3.000 na semana passada, citando oportunidades de crescimento de longo prazo ligadas à inteligência artificial. Esta meta revisada é um aumento em relação à estimativa anterior da firma de US$ 2.100.

Por que isso importa

O avanço da arquitetura 4F quadrada pela CXMT destaca a competição crescente no setor de chips de memória. Embora os jogadores estabelecidos como Samsung e SK Hynix tenham seus próprios roteiros para esta tecnologia, o plano da CXMT de introduzir um produto para servidores até o final de 2026 a coloca em competição direta com os líderes globais. O movimento sublinha a importância estratégica das soluções de memória de alta densidade no boom contínuo da IA.

Fontes (em inglês)

• finance.yahoo.com: Micron, SK Hynix stocks fall as Chinese memory maker announces progress in new design
• scmp.com: China’s CXMT unveils ‘key progress’ on chip structure pursued by Samsung, SK Hynix | South China Morning Post

Tradução feita com IA do artigo original em inglês, revisada automaticamente para dizer o mesmo que o original. As fontes foram verificadas em inglês.