चीनी प्रतिद्वंद्वी ChangXin Memory Technologies (CXMT) से घोषणाओं के बाद सोमवार को प्रमुख मेमोरी चिप निर्माताओं के शेयरों में गिरावट आई। Micron Technology (MU) का शेयर 3.14% गिरा, जबकि SK Hynix (SKHY) 3.78% गिरा। Samsung Electronics (005930.KS) के शेयर भी व्यापक दक्षिण कोरियाई शेयर बाजार के साथ 4% गिरे।
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Micron और SK Hynix के शेयर गिरे क्योंकि CXMT ने चिप डिज़ाइन में प्रगति की घोषणा की
चीनी मेमोरी निर्माता CXMT ने नई 4F वर्ग सेल आर्किटेक्चर पर प्रगति की घोषणा करने के बाद Micron और SK Hynix के शेयरों में गिरावट आई। कंपनी 2026 के अंत तक इस डिज़ाइन का उपयोग करके एक सर्वर मेमोरी उत्पाद लॉन्च करने की योजना बना रही है।
लेखक Hermes-Vector AI Desk · Read in English

संक्षेप में
- Micron और SK Hynix के शेयर गिरे क्योंकि CXMT ने नई 4F वर्ग मेमोरी-सेल डिज़ाइन पर प्रगति की घोषणा की।
- CXMT 2026 के अंत तक नई आर्किटेक्चर का उपयोग करके एक सर्वर मेमोरी उत्पाद लॉन्च करने की योजना बना रहा है।
- 6F वर्ग संरचना की तुलना में 4F वर्ग डिज़ाइन भंडारण घनत्व में वृद्धि करता है।
- The Elec की एक रिपोर्ट के अनुसार, Samsung 2028 तक समान डिज़ाइन पर आधारित 10-नैनोमीटर से कम DRAM का द्रव्यमान उत्पादन करने की योजना बना रहा है।
CXMT ने 4F वर्ग आर्किटेक्चर पर प्रगति की घोषणा की
बाजार की यह गतिविधि CXMT द्वारा "4F वर्ग" आर्किटेक्चर के रूप में जानी जाने वाली नई मेमोरी-सेल डिज़ाइन पर "मुख्य प्रगति" की रिपोर्ट के बाद आई। यह डिज़ाइन एक ही चिप पर अधिक सेल फिट करके भंडारण घनत्व को बढ़ाने का लक्ष्य रखता है। वर्तमान में, प्रमुख वाणिज्यिक डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (DRAM) 6F वर्ग-सेल संरचना का उपयोग करती है।
कंपनी के बयान के अनुसार, CXMT के अध्यक्ष Cao Kanyu ने शनिवार और रविवार के बीच शंघाई में आयोजित एक औद्योगिक कार्यक्रम में कहा कि कंपनी 2026 के अंत तक इस संरचना पर आधारित एक नई सर्वर-मेमोरी उत्पाद लॉन्च करने की योजना बना रही है। नए उत्पाद की उम्मीद है कि वह एंटरप्राइज़-ग्रेड सर्वरों के लिए डिज़ाइन किया गया DDR5 RDIMM होगा।
तकनीकी विवरण और प्रतिद्वंद्वी समयरेखा
CXMT ने कहा कि इसकी 4F वर्ग डिज़ाइन का केंद्र इसका स्वामित्व वाला Vertical Surrounding Gate (VSG) ट्रांजिस्टर है। यह ऊर्ध्वाधर गेट आर्किटेक्चर वर्तमान लीकेज को दूर करने और इकाई क्षेत्र को कम करने तथा भंडारण घनत्व को बढ़ाने के लिए है। प्रमुख 6F वर्ग संरचना से 4F वर्ग की ओर स्थानांतरण ऊर्ध्वाधर ट्रांजिस्टर चैनलों की ओर एक संक्रमण का प्रतिनिधित्व करता है। मौजूदा निर्माण प्रवाह नई संरचना के अनुकूल नहीं किए जा सकते थे, इसलिए CXMT ने कहा कि उसे प्रदर्शन-से-पावर अनुपात को अनुकूलित करने के लिए प्रमुख प्रक्रियाओं को फिर से डिज़ाइन करना पड़ा।
विश्व के प्रमुख DRAM उत्पादक भी इस तकनीक का पीछा कर रहे हैं। SK Hynix ने 2025 में अपनी 4F वर्ग रोड मैप का अनावरण किया। इसके अलावा, दक्षिण कोरियाई मीडिया आउलेट The Elec द्वारा अप्रैल में प्रकाशित एक रिपोर्ट में कहा गया था कि Samsung नए डिज़ाइन पर आधारित 10-नैनोमीटर से कम DRAM का द्रव्यमान उत्पादन 2028 तक करने की योजना बना रहा है।
बाजार संदर्भ और विश्लेषक दृष्टिकोण
2016 में स्थापित और हफेई स्थित CXMT ने कहा कि वह अपनी स्थापना से ही 4F वर्ग आर्किटेक्चर पर शोध कर रही है और इससे संबंधित 300 से अधिक पेटेंट परिवार प्रकाशित किए हैं। कंपनी ने जुलाई में शंघाई स्टॉक एक्सचेंज के स्टार मार्केट में सूचीबद्ध किया था। पिछले महीने, CXMT ने घोषणा की थी कि इसकी पांचवीं पीढ़ी की DRAM निर्माण प्लेटफ़ॉर्म, जिसे G5 के नाम से जाना जाता है, द्रव्यमान उत्पादन में प्रवेश कर चुकी है।
अमेरिकी बाजार में, Micron का शेयर जून में अपने सर्वकालिक उच्च स्तर से लगभग 16% नीचे है। हालिया गिरावट के बावजूद, D.A. Davidson के विश्लेषक Gil Luria ने कृत्रिम बुद्धिमत्ता से जुड़े दीर्घकालिक विकास अवसरों का हवाला देते हुए पिछले सप्ताह Micron के लिए अपने मूल्य लक्ष्य को बढ़ाकर $3,000 कर दिया। यह पुनरीक्षित लक्ष्य फर्म के पिछले $2,100 के अनुमान से अधिक है।
यह क्यों महत्वपूर्ण है
CXMT द्वारा 4F वर्ग आर्किटेक्चर में उन्नति मेमोरी चिप क्षेत्र में बढ़ती प्रतिस्पर्धा को उजागर करती है। जबकि Samsung और SK Hynix जैसे स्थापित खिलाड़ी इस तकनीक के लिए अपनी अपनी रोड मैप रखते हैं, CXMT की 2026 के अंत तक एक सर्वर उत्पाद पेश करने की योजना इसे वैश्विक नेताओं के साथ सीधी प्रतिस्पर्धा में लाती है। यह कदम चल रहे AI बूम में उच्च-घनत्व मेमोरी समाधानों की रणनीतिक महत्वता को रेखांकित करता है।
स्रोत (अंग्रेज़ी में)
- finance.yahoo.com: Micron, SK Hynix stocks fall as Chinese memory maker announces progress in new design
- scmp.com: China’s CXMT unveils ‘key progress’ on chip structure pursued by Samsung, SK Hynix | South China Morning Post
यह मूल अंग्रेज़ी लेख का एआई द्वारा किया गया अनुवाद है, जिसे स्वचालित रूप से जाँचा गया है ताकि यह मूल लेख जैसी ही बात कहे। स्रोतों की जाँच अंग्रेज़ी में की गई थी।