Les actions de Micron et SK Hynix chutent après l'annonce de progrès dans la conception de puces par CXMT

Les actions des principaux fabricants de puces mémoire ont reculé lundi suite aux annonces du concurrent chinois ChangXin Memory Technologies (CXMT). L'action de Micron Technology (MU) a chuté de 3,14 %, tandis que SK Hynix (SKHY) a baissé de 3,78 %. Samsung Electronics (005930.KS) a également vu ses actions chuter de 4 % parallèlement au marché boursier sud-coréen plus large.

CXMT annonce des progrès sur l'architecture carrée 4F

Le mouvement du marché a suivi la nouvelle selon laquelle CXMT a signalé des « progrès clés » sur une nouvelle conception de cellule mémoire connue sous le nom d'architecture « carrée 4F ». Cette conception vise à augmenter la densité de stockage en intégrant davantage de cellules sur une seule puce. Actuellement, la mémoire vive dynamique (DRAM) commerciale dominante utilise une structure de cellule carrée 6F.

Selon un communiqué de l'entreprise, le président de CXMT, Cao Kanyu, a déclaré lors d'un événement industriel à Shanghai ce week-end que l'entreprise prévoit de lancer un nouveau produit de mémoire pour serveurs basé sur cette structure d'ici la fin de 2026. Le nouveau produit devrait être un RDIMM DDR5 conçu pour les serveurs de niveau entreprise.

Détails techniques et calendriers des concurrents

CXMT a déclaré que le cœur de sa conception carrée 4F est son transistor Vertical Surrounding Gate (VSG) propriétaire. Cette architecture de grille verticale vise à résoudre les fuites de courant tout en réduisant la surface unitaire et en augmentant la densité de stockage. Le passage de la structure carrée 6F dominante à la structure carrée 4F représente une transition des canaux de transistor horizontaux aux canaux verticaux. Comme les flux de fabrication existants ne pouvaient pas être adaptés à la nouvelle structure, CXMT a indiqué avoir dû repenser les processus clés pour optimiser le rapport performance/consommation.

Les principaux producteurs mondiaux de DRAM poursuivent également cette technologie. SK Hynix a dévoilé sa feuille de route pour la conception carrée 4F en 2025. De plus, un rapport du média sud-coréen The Elec en avril indiquait que Samsung prévoyait de produire en masse de la DRAM de moins de 10 nanomètres basée sur la nouvelle conception d'ici 2028.

Contexte du marché et avis des analystes

CXMT, fondée en 2016 et basée à Hefei, a déclaré qu'elle recherchait l'architecture carrée 4F depuis sa création et a publié plus de 300 familles de brevets connexes. L'entreprise s'est inscrite sur le Star Market de la Bourse de Shanghai en juillet. Le mois dernier, CXMT a annoncé que sa cinquième génération de plateforme de fabrication de DRAM, connue sous le nom de G5, était entrée en production de masse.

Sur le marché américain, l'action Micron a reculé d'environ 16 % par rapport à son plus haut historique atteint en juin. Malgré ce récent recul, l'analyste Gil Luria de D.A. Davidson a relevé son objectif de cours pour Micron à 3 000 $ la semaine dernière, citant des opportunités de croissance à long terme liées à l'intelligence artificielle. Cet objectif révisé représente une augmentation par rapport à l'estimation précédente de 2 100 $ du cabinet.

Pourquoi c'est important

Les progrès de l'architecture carrée 4F par CXMT mettent en évidence une concurrence accrue dans le secteur des puces mémoire. Alors que les acteurs établis comme Samsung et SK Hynix ont leurs propres feuilles de route pour cette technologie, le plan de CXMT d'introduire un produit pour serveurs d'ici la fin de 2026 le place en concurrence directe avec les leaders mondiaux. Cette initiative souligne l'importance stratégique des solutions de mémoire haute densité dans le boom actuel de l'IA.

Sources (en anglais)

• finance.yahoo.com: Micron, SK Hynix stocks fall as Chinese memory maker announces progress in new design
• scmp.com: China’s CXMT unveils ‘key progress’ on chip structure pursued by Samsung, SK Hynix | South China Morning Post

Traduction réalisée par IA de l’article original en anglais, vérifiée automatiquement pour dire la même chose que l’original. Les sources ont été vérifiées en anglais.