Las acciones de Micron y SK Hynix caen mientras CXMT anuncia avances en el diseño de chips

Las acciones de los principales fabricantes de chips de memoria descendieron el lunes tras los anuncios del rival chino ChangXin Memory Technologies (CXMT). Las acciones de Micron Technology (MU) cayeron un 3,14 %, mientras que SK Hynix (SKHY) bajó un 3,78 %. Samsung Electronics (005930.KS) también vio cómo sus acciones caían un 4 % junto con el mercado bursátil surcoreano en general.

CXMT anuncia avances en la arquitectura 4F cuadrada

El movimiento del mercado siguió a la noticia de que CXMT ha reportado "avances clave" en un nuevo diseño de celda de memoria conocido como arquitectura "4F cuadrada". Este diseño tiene como objetivo aumentar la densidad de almacenamiento al ajustar más celdas en un solo chip. Actualmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) comercial principal utiliza una estructura de celda de 6F cuadrada.

Según un comunicado de la empresa, el presidente de CXMT, Cao Kanyu, declaró en un evento industrial en Shanghai durante el fin de semana que la compañía planea lanzar un nuevo producto de memoria para servidores basado en esta estructura a finales de 2026. Se espera que el nuevo producto sea un RDIMM DDR5 diseñado para servidores de grado empresarial.

Detalles técnicos y cronogramas de la competencia

CXMT declaró que el núcleo de su diseño 4F cuadrada es su transistor de puerta vertical envolvente (VSG) de propiedad exclusiva. Esta arquitectura de puerta vertical tiene como objetivo abordar las fugas de corriente actuales mientras reduce el área unitaria y aumenta la densidad de almacenamiento. El cambio de la estructura principal de 6F cuadrada a 4F cuadrada representa una transición de canales de transistor horizontales a verticales. Dado que los flujos de fabricación existentes no podían adaptarse a la nueva estructura, CXMT dijo que tuvo que rediseñar los procesos clave para optimizar la relación rendimiento-potencia.

Los principales productores de DRAM del mundo también están persiguiendo esta tecnología. SK Hynix presentó su hoja de ruta 4F cuadrada en 2025. Además, un informe del medio surcoreano The Elec en abril indicó que Samsung planeaba producir en masa DRAM de menos de 10 nanómetros basada en el nuevo diseño para 2028.

Contexto del mercado y opiniones de los analistas

CXMT, fundada en 2016 y con sede en Hefei, dijo que ha estado investigando la arquitectura 4F cuadrada desde su inicio y ha publicado más de 300 familias de patentes relacionadas. La empresa cotiza en el Mercado Estrella de la Bolsa de Shanghái desde julio. El mes pasado, CXMT anunció que su quinta plataforma de fabricación de DRAM, conocida como G5, había entrado en producción en masa.

En el mercado estadounidense, las acciones de Micron han caído aproximadamente un 16 % desde su máximo histórico en junio. A pesar de la reciente caída, el analista Gil Luria de D.A. Davidson elevó su objetivo de precio para Micron a 3.000 dólares la semana pasada, citando oportunidades de crecimiento a largo plazo vinculadas a la inteligencia artificial. Este objetivo revisado es un aumento respecto a la estimación anterior de la firma de 2.100 dólares.

Por qué importa

El avance de la arquitectura 4F cuadrada por parte de CXMT destaca la creciente competencia en el sector de los chips de memoria. Mientras que los jugadores establecidos como Samsung y SK Hynix tienen sus propias hojas de ruta para esta tecnología, el plan de CXMT de introducir un producto para servidores a finales de 2026 lo coloca en competencia directa con los líderes globales. El movimiento subraya la importancia estratégica de las soluciones de memoria de alta densidad en el auge continuo de la IA.

Fuentes (en inglés)

• finance.yahoo.com: Micron, SK Hynix stocks fall as Chinese memory maker announces progress in new design
• scmp.com: China’s CXMT unveils ‘key progress’ on chip structure pursued by Samsung, SK Hynix | South China Morning Post

Traducción con IA del artículo original en inglés, revisada automáticamente para que diga lo mismo que el original. Las fuentes fueron verificadas en inglés.